RESISTIVITY CONTROL OF GE GROWN BY GE12 DISPROPORTIONATION

被引：2

作者：

RIBEN, AR

FEUCHT, DL

OLDHAM, WG

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1703068

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：3685 / &

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共 7 条

[1]

FROSCH CJ, 1961, J ELECTROCHEM SOC, V108, pC177

FULLER, CS ;

DOLEIDEN, FH .

[3]

MARINACE JC, 1960, IBM J, V4, P249

[4]

NEWMAN RC, 1960, SOLID STATE PHYS, V1, P160

[5]

OLDHAM WG, 1963, ELECTR SOC EXTENDED, V12, P102

[6]

RUTH RP, 1960, J APPL PHYS, V31, P955

[7]

TAKABAYASHI M, 1962, JPN J APPL PHYS, V1, P22