THERMAL CONDUCTIVITY MEASUREMENTS OF SILICON FROM 30 DEGREES TO 425 DEGREES C

被引：38

作者：

MORRIS, RG

HUST, JG

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW | 1961年 / 124卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRev.124.1426

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：1426 / &

共 39 条

ABELES, B .

[2]

ARMSTRONG LD, 1947, CAN J RESEARCH, VA25, P357

[3]

ASCOLI A, 1956, ENERGIA NUCLEARE, V3, P113

[4]

BAINBRIDGE KT, 1953, ENP, V1, P682

[5]

BAINBRIDGE KT, 1953, ENP, V1, P745

[6]

BALLARD SS, 1950, REV SCI INS, V21, P105

BERMAN, R ;

FOSTER, EL ;

ZIMAN, JM .

PROCEEDINGS OF THE ROYAL SOCIETY OF LONDON SERIES A-MATHEMATICAL AND PHYSICAL SCIENCES, 1956, 237 (1210) :344-354

[8]

BERMAN R, 1959, P ROY SOC, VA253, P403

[9]

Busch G., 1961, HELV PHYS ACTA, V34, P1

[10] EFFECT OF POINT IMPERFECTIONS ON LATTICE THERMAL CONDUCTIVITY [J].

CALLAWAY, J ;

VONBAEYER, HC .

PHYSICAL REVIEW, 1960, 120 (04) :1149-1154