学术探索
学术期刊
新闻热点
数据分析
智能评审

CARRIER MOBILITY DETERMINATION IN INVERSION-LAYERS OF ANODIZED INSB MOS STRUCTURES

被引：1
作者：
BRAUNE, W
SCHNURER, M
KUBICKI, N
HERRMANN, R
机构：
来源：
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH | 1985年 / 131卷 / 02期
关键词：
D O I：
10.1002/pssb.2221310258
中图分类号：
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号：
070205 ;
摘要：
引用
收藏
页码：K181 / K183
页数：3
相关论文
共 5 条
[1]   SPACE-CHARGE LAYERS ON GE SURFACES .1. DC CONDUCTIVITY AND SHUBNIKOV-DEHAAS EFFECT [J].
BINDER, J ;
GERMANOVA, K ;
HUBER, A ;
KOCH, F .
PHYSICAL REVIEW B, 1979, 20 (06) :2382-2390
[2]   C-U MEASUREMENTS OF ANODIZED INSB MOS STRUCTURES AT 77-K AND 4.2-K [J].
BRAUNE, W ;
SCHNURER, M ;
KUBICKI, N ;
HERRMANN, R .
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 1984, 86 (01) :427-431
[3]  
DAVYDOV VN, 1983, MIKROELEKTRONIKA, V12, P117
[4]   PLASMA-ENHANCED CHEMICALLY VAPOUR-DEPOSITED SILICON DIOXIDE FOR METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR STRUCTURES ON INSB [J].
MACKENS, U ;
MERKT, U .
THIN SOLID FILMS, 1982, 97 (01) :53-61
[5]  
ROMANOV OV, 1983, POVERKHNOST FIZ KHIM, V2, P95
1