THEORY + EXPERIMENTS ON 1/F SURFACE NOISE OF MOS INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORS

被引：7

作者：

SAH, CT

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1964年 / ED11卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1964.15412

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：534 / &

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