A 256K CMOS SRAM WITH VARIABLE IMPEDANCE DATA-LINE LOADS

被引：10

作者：

YAMAMOTO, S

TANIMURA, N

NAGASAWA, K

MEGURO, S

YASUI, T

MINATO, O

MASUHARA, T

机构：

[1] Hitachi Ltd, Tokyo, Jpn, Hitachi Ltd, Tokyo, Jpn

来源：

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1985年 / 20卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1985.1052416

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

5

引用

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页码：924 / 928

页数：5

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共 5 条

[1] A FAULT-TOLERANT 30 NS-375 MW 16KX1 NMOS STATIC RAM [J].

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