1ST-ORDER PARAMETER EXTRACTION ON ENHANCEMENT SILICON MOS-TRANSISTORS

被引：33

作者：

HAMER, MF

机构：

来源：

IEE PROCEEDINGS-I COMMUNICATIONS SPEECH AND VISION | 1986年 / 133卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1049/ip-i-1.1986.0011

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：49 / 54

页数：6

共 6 条

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