A 70 NS HIGH-DENSITY 64K CMOS DYNAMIC RAM

被引：4

作者：

CHWANG, RJC

CHOI, M

CREEK, D

STERN, S

PELLEY, PH

SCHUTZ, JD

WARKENTIN, PA

BOHR, MT

YU, K

机构：

[1] INTEL CORP,DEPT TECHNOL DEV,ALOHA,OR 97006

[2] INTEL CORP,CMOS 64K-256K DYNAM RAM PROJECT,ALOHA,OR 97006

来源：

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1983年 / 18卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1983.1051978

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：457 / 463

页数：7

共 6 条

[1]

KNECHT M, 1983, FEB ISSCC, P62

[2] A HI-CMOSII 8K-BY-8 BIT STATIC RAM [J].

MINATO, O ;

MASUHARA, T ;

SASAKI, T ;

SAKAI, Y ;

HAYASHIDA, T ;

NAGASAWA, K ;

NISHIMURA, K ;

YASUI, T .

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, 1982, 17 (05) :793-797

[3] AN N-WELL CMOS DYNAMIC RAM [J].

SHIMOHIGASHI, K ;

MASUDA, H ;

KAMIGAKI, Y ;

ITOH, K ;

HASHIMOTO, N ;

ARAI, E .

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1982, 29 (04) :714-718

[4]

YOSHIDA M, 1983, FEB P IEEE INT SOL S, P174

[5]

YOSHIMOTO M, 1983, FEB P IEEE INT SOL S, P58

[6] HMOS-CMOS - A LOW-POWER HIGH-PERFORMANCE TECHNOLOGY [J].

YU, K ;

CHWANG, RJC ;

BOHR, MT ;

WARKENTIN, PA ;

STERN, S ;

BERGLUND, CN .

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, 1981, 16 (05) :454-459

← 1 →