COMPUTER-SIMULATION OF GALLIUM-ARSENIDE FIELD-EFFECT TRANSISTORS USING MONTE-CARLO METHODS

被引：5

作者：

WARRINER, RA ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV READING,DEPT COMPUTER SCI,READING RG6 2AX,ENGLAND

来源：

IEE JOURNAL ON SOLID-STATE AND ELECTRON DEVICES | 1977年 / 1卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1049/ij-ssed.1977.0013

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：105 / 110

页数：6