AN INALAS/N+-INGAAS MISFET WITH A MODULATION-DOPED CHANNEL

被引:1
作者
DELALAMO, JA [1 ]
MIZUTANI, T [1 ]
机构
[1] NIPPON TELEGRAPH & TEL PUBL CORP, LSI LABS, ATSUGI, KANAGAWA 24301, JAPAN
关键词
D O I
10.1109/16.8860
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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共 1 条
[1]   AN IN0.52AL0.48AS/N+-IN0.53GA0.47AS MISFET WITH A HEAVILY DOPED CHANNEL [J].
DELALAMO, JA ;
MIZUTANI, T .
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 1987, 8 (11) :534-536