STRUCTURAL STUDIES OF CRYSTALLINE AND AMORPHOUS SI-GE ALLOYS USING EXAFS AND RAMAN-SCATTERING

被引：42

作者：

MINOMURA, S ^{[1
]}

TSUJI, K ^{[1
]}

WAKAGI, M ^{[1
]}

ISHIDATE, T ^{[1
]}

INOUE, K ^{[1
]}

SHIBUYA, M ^{[1
]}

机构：

[1] SHIZUOKA UNIV,DEPT PHYS,SHIZUOKA 422,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-3093(83)90640-3

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业]; TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：541 / 544

页数：4

共 5 条

[1]

[Anonymous], ELECTRONIC STRUCTURE

[2] RAMAN-SCATTERING IN GE-SI ALLOYS [J].

BRYA, WJ .

ISHIDATE, T ;

INOUE, K ;

TSUJI, K ;

MINOMURA, S .

[4] DIELECTRIC DEFINITION OF ELECTRONEGATIVITY [J].

PHILLIPS, JC .

[5] VOLUME DEPENDENCE OF RAMAN FREQUENCIES OF GE-SI ALLOYS [J].

RENUCCI, JB ;

RENUCCI, MA ;

CARDONA, M .