SATURATION OF THE FREE-ELECTRON CONCENTRATION IN DELTA-DOPED GAAS - THE DX CENTER IN 2 DIMENSIONS

被引：98

作者：

ZRENNER, A

KOCH, F

WILLIAMS, RL

STRADLING, RA

PLOOG, K

WEIMANN, G

机构：

来源：

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY | 1988年 / 3卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1088/0268-1242/3/12/009

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1203 / 1209

页数：7

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