DOPING OF SEMICONDUCTORS BY ION BOMBARDMENT

被引:25
作者
GIBBONS, JF
MOLL, JL
MEYER, NI
机构
来源
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS | 1965年 / 38卷 / DEC期
关键词
D O I
10.1016/0029-554X(65)90126-6
中图分类号
TH7 [仪器、仪表];
学科分类号
0804 ; 080401 ; 081102 ;
摘要
引用
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页码:165 / &
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