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DOPING OF SEMICONDUCTORS BY ION BOMBARDMENT
被引:25
作者
:
GIBBONS, JF
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GIBBONS, JF
MOLL, JL
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MOLL, JL
MEYER, NI
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MEYER, NI
机构
:
来源
:
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS
|
1965年
/ 38卷
/ DEC期
关键词
:
D O I
:
10.1016/0029-554X(65)90126-6
中图分类号
:
TH7 [仪器、仪表];
学科分类号
:
0804 ;
080401 ;
081102 ;
摘要
:
引用
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页码:165 / &
相关论文
共 5 条
[1]
ANDERSON WF, PERSONAL COMMUNICATI
[2]
LEE TC, 1965, 01731 STANF TECHN RE
[3]
LOW W, 1963, P INT C PARAMAGNE ED, P620
[4]
LUDQIG GW, 1963, PARAMAGNETIC RESONAN, V2, P620
[5]
ELECTRON SPIN RESONANCE OF ND3+ IN CADMIUM SULFIDE SINGLE CRYSTALS
MORIGAKI, K
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
MORIGAKI, K
[J].
JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN,
1963,
18
(11)
: 1636
-
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共 5 条
[1]
ANDERSON WF, PERSONAL COMMUNICATI
[2]
LEE TC, 1965, 01731 STANF TECHN RE
[3]
LOW W, 1963, P INT C PARAMAGNE ED, P620
[4]
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[5]
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MORIGAKI, K
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MORIGAKI, K
[J].
JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN,
1963,
18
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