VERY STRONG ACCUMULATION LAYERS ON ZNO SURFACES

被引：16

作者：

EGER, D ^{[1
]}

MANY, A ^{[1
]}

GOLDSTEIN, Y ^{[1
]}

机构：

[1] HEBREW UNIV,RACAH INST PHYS,JERUSALEM 91000,ISRAEL

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0375-9601(75)90709-4

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：197 / 198

页数：2

共 9 条

BAER, WS .

PHYSICAL REVIEW, 1967, 154 (03) :785-+

DEWALD, JF .

BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1960, 39 (03) :615-639

[3]

DORDA G, 1973, ADV SOLID STATES PHY, P215

[4]

MANY A, 1965, SEMICONDUCTOR SURFAC, pCH4

[5]

Morrison S. R., 1971, PROGR SURFACE SCI, V1, P105

[6]

Stern F., 1970, Journal of Computational Physics, V6, P56, DOI 10.1016/0021-9991(70)90004-5

[7] ELECTRON EXCHANGE ENERGY IN SI INVERSION LAYERS [J].

STERN, F .

[8]

Stern F., 1974, Critical Reviews in Solid State Sciences, V4, P499

VINTER, B .