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- [1] DENSITY OF SIO2-SI INTERFACE STATES - (MOS DEVICES SI OXIDATION 100 DEGREES C O2 + 80 PPM H2O FERMI LEVEL E)[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1966, 8 (02) : 31 - &GRAY, PVBROWN, DM
COMMENT ON DENSITY OF SIO2-SI INTERFACE STATES BY GRAY AND BROWN
被引：4
作者：
FRANKL, DR
机构：
关键词：
D O I：
10.1063/1.1709811
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：1996 / &
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