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STRUCTURE AND PROPERTIES OF BORON-NITRIDE FILMS GROWN BY HIGH-TEMPERATURE REACTIVE PLASMA DEPOSITION
被引:56
作者
:
HYDER, SB
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
VARIAN ASSOC,CORP SOLID STATE LAB,PALO ALTO,CA 94303
VARIAN ASSOC,CORP SOLID STATE LAB,PALO ALTO,CA 94303
HYDER, SB
[
1
]
YEP, TO
论文数:
0
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0
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0
机构:
VARIAN ASSOC,CORP SOLID STATE LAB,PALO ALTO,CA 94303
VARIAN ASSOC,CORP SOLID STATE LAB,PALO ALTO,CA 94303
YEP, TO
[
1
]
机构
:
[1]
VARIAN ASSOC,CORP SOLID STATE LAB,PALO ALTO,CA 94303
来源
:
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY
|
1976年
/ 123卷
/ 11期
关键词
:
D O I
:
10.1149/1.2132677
中图分类号
:
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
:
081704 ;
摘要
:
引用
收藏
页码:1721 / 1724
页数:4
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共 4 条
[1]
ALEXANDER JH, 1968, OCT EL SOC FALL M MO, P343
[2]
PREPARATION AND PROPERTIES OF THIN FILM BORON NITRIDE
RAND, MJ
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ROBERTS, JF
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ROBERTS, JF
[J].
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,
1968,
115
(04)
: 423
-
&
[3]
TRANSPORT PROPERTIES OF GAAS
RUCH, JG
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机构:
Stanford University, Stanford
RUCH, JG
KINO, GS
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机构:
Stanford University, Stanford
KINO, GS
[J].
PHYSICAL REVIEW,
1968,
174
(03):
: 921
-
+
[4]
SCHAFFER PS, 1964, AF196281616 CONTR
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1968,
115
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-
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1968,
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