MONOLITHIC STUDS AS INTERLEVEL CONNECTORS IN PLANAR MULTILEVEL LSI

被引：1

作者：

SCHWARTZ, GC ^{[1
]}

PLATTER, V ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,SYST PROD DIV,E FISHKILL FACIL,HOPEWELL JUNCTION,NY 12533

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2132807

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：300 / 301

页数：2

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共 7 条

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