1/F NOISE IN ION-IMPLANTED AND DOUBLE-LAYER EPITAXIAL HGCDTE PHOTODIODES

被引:28
作者
RADFORD, WA
JONES, CE
机构
来源
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS | 1985年 / 3卷 / 01期
关键词
D O I
10.1116/1.573195
中图分类号
TB3 [工程材料学];
学科分类号
0805 ; 080502 ;
摘要
引用
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页码:183 / 188
页数:6
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