PHOTOMAGNETIC ANNEAL PROPERTIES OF SILICON-DOPED YTTRIUM IRON GARNET

被引:31
作者
PEARSON, RF
ANNIS, AD
KOMPFNER, P
机构
关键词
D O I
10.1103/PhysRevLett.21.1805
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
摘要
引用
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页码:1805 / &
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