CONSIDERATION OF THE RELATIVE FREQUENCY PERFORMANCE POTENTIAL OF INVERTED HETEROJUNCTION N-P-N TRANSISTORS

被引：10

作者：

FONSTAD, CG ^{[1
]}

机构：

[1] MIT,CTR MAT SCI & ENGN,CAMBRIDGE,MA 02139

来源：

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1984年 / 5卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1984.25845

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页数：2

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共 3 条

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