VARIABLE BARRIER HEIGHT SEMICONDUCTOR HXWO3 DIODES

被引：5

作者：

RAUH, RD

ROSE, TL

BENOIT, SN

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.96552

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：362 / 364

页数：3

共 8 条

CRANDALL, RS ;

WOJTOWICZ, PJ ;

FAUGHNAN, BW .

[2]

FAUGHNAN BW, 1975, RCA REV, V36, P177

[3] SILICON PHOTO-CATHODE BEHAVIOR IN ACIDIC V(II)-V(III) SOLUTIONS [J].

HELLER, A ;

LEWERENZ, HJ ;

MILLER, B .

LEWIS, NS .

[5]

LOHMANN F, 1967, Z NATURFORSCH PT A, VA 22, P843

SCHLOTTER, P ;

PICKELMANN, L .

[7]

SZE SM, 1981, PHYSICS SEMICONDUCTO, pCH5

[8] CHEMICAL MICROSENSORS AND MICROINSTRUMENTATION [J].

WOHLTJEN, H .