EXTREMELY LOW RESISTANCE NONALLOYED OHMIC CONTACTS TO N-GAAS USING COMPOSITIONALLY GRADED INXGA1-XAS LAYERS

被引：36

作者：

NITTONO, T

ITO, H

NAKAJIMA, O

ISHIBASHI, T

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1986年 / 25卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.25.L865

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L865 / L867

页数：3