OBSERVATION OF A DEEP LEVEL DUE TO INDIUM DOPING IN P-TYPE GAAS

被引：1

作者：

SMITH, SR ^{[1
]}

EVWARAYE, AO ^{[1
]}

MITCHEL, WC ^{[1
]}

机构：

[1] USAF,WRIGHT AERONAUT LABS,MAT LAB,WRIGHT PATTERSON AFB,OH 45433

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.343050

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1130 / 1132

页数：3

共 4 条

MITCHEL, WC ;

BROWN, GJ ;

FISCHER, DW ;

YU, PW ;

LANG, JE .

MITCHEL, WC ;

YU, PW .

[3]

SMITH SS, UNPUB

[4] EVIDENCE OF INTRINSIC DOUBLE ACCEPTOR IN GAAS [J].

YU, PW ;

MITCHEL, WC ;

MIER, MG ;

LI, SS ;

WANG, WL .