SOME UNEXPECTED EQUILIBRIUM AND TRANSPORT-PROPERTIES IN INDIUM-DOPED SILICON

被引：5

作者：

CAPPELLETTI, P

CEROFOLINI, GF

PIGNATEL, GU

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1982年 / 53卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1063/1.331499

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：6457 / 6458

页数：2

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