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THE B-PHI LOW-BETA INSERTION DESIGN FOR THE TEVATRON
被引：2
作者：
JOHNSON, DE
[1
]
机构：
[1] FERMI NATL ACCELERATOR LAB,BATAVIA,IL 60510
关键词：
D O I：
10.1109/TNS.1985.4333687
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
引用
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页码：1672 / 1674
页数：3
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