PRESSURE-DEPENDENCE OF ARSENIC DIFFUSIVITY IN SILICON

被引：25

作者：

NYGREN, E ^{[1
]}

AZIZ, MJ ^{[1
]}

TURNBULL, D ^{[1
]}

POATE, JM ^{[1
]}

JACOBSON, DC ^{[1
]}

HULL, R ^{[1
]}

机构：

[1] AT&T BELL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.96283

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：105 / 107

页数：3

共 5 条

[1] CRYSTAL-GROWTH KINETICS OF BORON-OXIDE UNDER PRESSURE [J].

AZIZ, MJ ;

NYGREN, E ;

HAYS, JF ;

TURNBULL, D .

BOYD, FR ;

ENGLAND, JL .

JOURNAL OF GEOPHYSICAL RESEARCH, 1960, 65 (02) :741-748

[3] LOW-FRICTION CELL FOR PISTON-CYLINDER HIGH-PRESSURE APPARATUS [J].

MIRWALD, PW ;

GETTING, IC ;

KENNEDY, GC .

JOURNAL OF GEOPHYSICAL RESEARCH, 1975, 80 (11) :1519-1525

[4]

WATKINS GD, 1975, I PHYSICS C SERIES, V23

[5]

[No title captured]