EPITAXIAL-GROWTH OF BAF2 ON GE AND INP

被引：11

作者：

PHILLIPS, JM

FELDMAN, LC

GIBSON, JM

MCDONALD, ML

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS | 1983年 / 1卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1116/1.571956

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

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页码：563 / 564

页数：2

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JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1976, 47 (04) :1686-1689