SILICON REACH-THROUGH AVALANCHE PHOTODIODES FOR FIBER OPTIC APPLICATIONS

被引：2

作者：

CONRADI, J ^{[1
]}

WEBB, PP ^{[1
]}

机构：

[1] RCA LTD,RES & DEL LABS,STE ANNE DE BELLEVUE,QUEBEC,CANADA

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1975年 / 22卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1975.18303

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1062 / 1063

页数：2

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共 2 条

[1] IONIZATION RATES OF HOLES + ELECTRONS IN SILICON [J].

LEE, CA ;

KLEIMACK, JJ ;

BATDORF, RL ;

WIEGMANN, W ;

LOGAN, RA .

PHYSICAL REVIEW, 1964, 134 (3A) :A761-+

[2]

WEBB PP, 1974, RCA REV, V35, P234