BI-LEVEL STRUCTURES FOR FOCUSED ION-BEAM USING MASKLESS ION ETCHING

被引：3

作者：

MATSUI, S ^{[1
]}

MORI, K ^{[1
]}

SHIOKAWA, T ^{[1
]}

TOYODA, K ^{[1
]}

NAMBA, S ^{[1
]}

机构：

[1] INST PHYS & CHEM RES,WAKO,SAITAMA 351,JAPAN

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1984年 / 23卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.23.L172

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L172 / L174

页数：3

共 4 条

[1] FET FABRICATION USING MASKLESS ION-IMPLANTATION [J].

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SELIGER, RL ;

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[2] HIGH-RESOLUTION SPUTTERING USING A FOCUSED ION-BEAM [J].

KUBENA, RL ;

SELIGER, RL ;

STEVENS, EH .

[3] DRY DEVELOPMENT OF RESISTS EXPOSED TO FOCUSED GALLIUM ION-BEAM [J].

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YOSHIDA, K ;

YAMAZAKI, SI .

SELIGER, RL ;

KUBENA, RL ;

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JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY, 1979, 16 (06) :1610-1612