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TEMPERATURE-DEPENDENT FACET DEVELOPMENT OF LP-MOCVD INGAP GROWN ON PATTERNED GAAS SUBSTRATES
被引：3
作者：
BONGERS, MMG
BASTOS, PL
GILING, LJ
机构：
关键词：
D O I：
10.1016/0022-0248(94)91179-7
中图分类号：
O7 [晶体学];
学科分类号：
0702 ;
070205 ;
0703 ;
080501 ;
摘要：
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页数：2
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