THE EFFECT OF GATE-VOLTAGE-DEPENDENT MOBILITY ON THERMAL NOISE IN MOSFETS

被引：8

作者：

VANDERZIEL, A

BOSMAN, G

机构：

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1982年 / 25卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(82)90168-X

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：525 / 527

页数：3

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共 3 条

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