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AN IN-DOPED DISLOCATION-FREE GAAS LAYER GROWN BY MBE ON IN-DOPED GAAS SUBSTRATE
被引：14
作者：
TAKEUCHI, H
SHINOHARA, M
OE, K
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS
|
1986年
/
25卷
/
04期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.25.L303
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L303 / L305
页数：3
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