OBSERVATION OF BOLTZMANN LIMIT FOR AN IGFET

被引：2

作者：

LAZARUS, MJ ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV CALIF,DEPT PHYS,DAVIS,CA 95616

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1975年 / ED22卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1975.18143

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：365 / 365

页数：1

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[1] SHORT-CHANNEL IGFET [J].

LAZARUS, MJ .

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1975, ED22 (06) :351-351