THE INFLUENCE OF INTERFACE STATES UPON THE ADMITTANCE OF METAL-SEMICONDUCTOR DIODES

被引：15

作者：

MURET, P

机构：

来源：

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY | 1988年 / 3卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1088/0268-1242/3/4/008

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：321 / 338

页数：18

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