学术探索
学术期刊
新闻热点
数据分析
智能评审
立即登录
THE TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THE 969 MEV G-OPTICAL TRANSITION IN SILICON
被引:15
作者
:
DAVIES, G
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
DAVIES, G
BRIAN, H
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
BRIAN, H
LIGHTOWLERS, EC
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
LIGHTOWLERS, EC
BARRACLOUGH, K
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
BARRACLOUGH, K
THOMAZ, MF
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
THOMAZ, MF
机构
:
来源
:
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
|
1989年
/ 4卷
/ 03期
关键词
:
D O I
:
10.1088/0268-1242/4/3/010
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
收藏
页码:200 / 206
页数:7
相关论文
未找到相关数据
未找到相关数据