PREDICTION OF HOT-ELECTRON-INDUCED GATE CURRENTS

被引：1

作者：

GOLDSMAN, N ^{[1
]}

FREY, J ^{[1
]}

机构：

[1] CORNELL UNIV,SCH ELECT ENGN,ITHACA,NY 14853

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1986年 / 33卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1986.22819

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：1861 / 1861

页数：1

相关论文

共 2 条

[1]

FERRY DK, 1982, HDB SEMICONDUCTORS, V1, P563

[2] TRADEOFFS AND ELECTRON-TEMPERATURE CALCULATIONS IN LIGHTLY DOPED DRAIN STRUCTURES [J].

FREY, J ;

GOLDSMAN, N .

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 1985, 6 (01) :28-30