FORMATION OF PARAMAGNETIC CENTERS AT END OF RANGE OF PROTONS IN SILICON

被引：4

作者：

LUTGEMEIER, H

SCHNITZKE, K

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0375-9601(67)90963-2

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：726 / +

页数：1

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共 4 条

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