学术探索
学术期刊
新闻热点
数据分析
智能评审
立即登录
GEOMETRY DEPENDENCE OF THE TRANSPORT PARAMETERS IN FIELD-EFFECT TRANSISTORS MADE FROM AMORPHOUS-SILICON
被引:2
作者
:
GRIEP, S
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
GRIEP, S
机构
:
来源
:
AMORPHOUS SILICON TECHNOLOGY - 1989
|
1989年
/ 149卷
关键词
:
D O I
:
10.1557/PROC-149-283
中图分类号
:
O64 [物理化学(理论化学)、化学物理学];
学科分类号
:
070304 ;
081704 ;
摘要
:
引用
收藏
页码:283 / 288
页数:6
相关论文
未找到相关数据
未找到相关数据