GEOMETRY DEPENDENCE OF THE TRANSPORT PARAMETERS IN FIELD-EFFECT TRANSISTORS MADE FROM AMORPHOUS-SILICON

被引:2
作者
GRIEP, S
机构
来源
AMORPHOUS SILICON TECHNOLOGY - 1989 | 1989年 / 149卷
关键词
D O I
10.1557/PROC-149-283
中图分类号
O64 [物理化学(理论化学)、化学物理学];
学科分类号
070304 ; 081704 ;
摘要
引用
收藏
页码:283 / 288
页数:6
相关论文
empty
未找到相关数据