VAPOR-PHASE EPITAXIAL-GROWTH OF GA1-XALXN ON SAPPHIRE

被引：5

作者：

BARANOV, B ^{[1
]}

DAWERITZ, L ^{[1
]}

机构：

[1] AKAD WISSENSCHAFT DDR,ZENT INST ELEKTRONENPHYS,BEREICH FESTKORPERPHYS,BERLIN,FED REP GER

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1976年 / 38卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210380244

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：K111 / &

共 8 条

[1] EPITAXIAL ZNO ON SAPPHIRE [J].

GALLI, G ;

COKER, JE .

[2]

Ilegems M.J., 1972, J CRYSTAL GROWTH, V13, P360

[3]

JEFFREY GA, 1958, J CHEM PHYS, V23, P406

[4]

LEWIS DW, 1970, J ELECTROCHEM SOC, V7, P978

[5]

MARASINA LA, 1971, IZV AKAD NAUK SSS NM, V7, P1027

[6] The grids of aluminium nitride. [J].

Ott, H .

ZEITSCHRIFT FUR PHYSIK, 1924, 22 :201-214

[7]

PLETYUSHKIN AA, 1968, IAN SSSR NEORG MATER, V4, P893

[8] SOME PROPERTIES OF ALUMINUM NITRIDE [J].

TAYLOR, KM ;

LENIE, C .