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ON THE IMPEDANCE ASSOCIATED WITH ELECTRON-HOLE RECOMBINATION IN THE SPACE-CHARGE LAYER OF AN ILLUMINATED SEMICONDUCTOR ELECTROLYTE INTERFACE
被引:16
作者
:
VANMAEKELBERGH, D
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
Rijksuniv Gent, Ghent, Belg, Rijksuniv Gent, Ghent, Belg
VANMAEKELBERGH, D
CARDON, F
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
Rijksuniv Gent, Ghent, Belg, Rijksuniv Gent, Ghent, Belg
CARDON, F
机构
:
[1]
Rijksuniv Gent, Ghent, Belg, Rijksuniv Gent, Ghent, Belg
来源
:
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
|
1988年
/ 3卷
/ 02期
关键词
:
D O I
:
10.1088/0268-1242/3/2/009
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
17
引用
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页码:124 / 133
页数:10
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