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A COMMENT ON DEFECTS IN GAAS CRYSTALS OBSERVED BY INFRARED LIGHT-SCATTERING TOMOGRAPHY AND IR ABSORPTION MICROSCOPY
被引：12
作者：
OGAWA, T
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
|
1986年
/
25卷
/
11期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.25.L916
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L916 / L917
页数：2
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