300-DEGREES-C PROCESSING OF SI USING REMOTE PLASMA TECHNIQUES FOR INSITU CLEANING, EPITAXY, AND OXIDE NITRIDE OXIDE DEPOSITIONS

被引：3

作者：

FOUNTAIN, GG

HATTANGADY, SV

RUDDER, RA

POSTHILL, JB

MARKUNAS, RJ

机构：

来源：

RAPID THERMAL ANNEALING / CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND INTEGRATED PROCESSING | 1989年 / 146卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-146-139

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：139 / 145

页数：7