ANISOTROPIC DEFECT INTRODUCTION IN NORMAL-GAAS AND PARA-GAAS BY ELECTRON-IRRADIATION

被引：24

作者：

PONS, D

机构：

来源：

PHYSICA B & C | 1983年 / 116卷 / 1-3期

关键词：

D O I：

10.1016/0378-4363(83)90278-4

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：388 / 393

页数：6

共 10 条

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