OBSERVATION OF ION BOMBARDMENT DAMAGE IN SILICON

被引：148

作者：

MAZEY, DJ

NELSON, RS

BARNES, RS

机构：

来源：

PHILOSOPHICAL MAGAZINE | 1968年 / 17卷 / 150期

关键词：

D O I：

10.1080/14786436808223192

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：1145 / &

共 17 条

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