CHARACTERIZATION OF LATTICE DAMAGE IN ION-IMPLANTED SILICON - MONTE-CARLO SIMULATION COMBINED WITH DOUBLE CRYSTAL X-RAY-DIFFRACTION

被引：7

作者：

CEMBALI, F

MAZZONE, AM

SERVIDORI, M

机构：

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1985年 / 91卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210910254

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：K125 / K127

页数：3

相关论文

共 3 条

[1]

CEMBALI G, 1985, PHYS STAT SOL A, V87, P225

[2] 3-DIMENSIONAL MONTE-CARLO SIMULATIONS .2. RECOIL PHENOMENA [J].

MAZZONE, AM .

[3] DISORDER PRODUCTION AND AMORPHIZATION IN ION-IMPLANTED SILICON [J].

THOMPSON, DA ;

GOLANSKI, A ;

HAUGEN, KH ;

STEVANOVIC, DV ;

CARTER, G ;

CHRISTODOULIDES, CE .

RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 1980, 52 (1-2) :69-84