DESIGN CONSIDERATION OF A STATIC MEMORY CELL

被引：21

作者：

ANAMI, K

YOSHIMOTO, M

SHINOHARA, H

HIRATA, Y

NAKANO, T

机构：

来源：

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1983年 / 18卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1983.1051965

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：414 / 417

页数：4

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共 7 条

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