COMPARATIVE-STUDY OF ELECTRONIC-STRUCTURE OF (SN)X AND ITS PRECURSOR S2N2 USING EXTENDED TIGHT-BINDING METHOD

被引:34
作者
BATRA, IP [1 ]
CIRACI, S [1 ]
RUDGE, WE [1 ]
机构
[1] IBM CORP,RES LAB,SAN JOSE,CA 95193
来源
PHYSICAL REVIEW B | 1977年 / 15卷 / 12期
关键词
D O I
10.1103/PhysRevB.15.5858
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
引用
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页码:5858 / 5868
页数:11
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