GERMANIUM - SEMICONDUCTOR PROPERTIES

被引：6

作者：

DALVEN, R

机构：

来源：

INFRARED PHYSICS | 1966年 / 6卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1016/0020-0891(66)90007-8

中图分类号：

O43 [光学];

学科分类号：

070207 ; 0803 ;

摘要：

引用

页码：129 / &

共 146 条

[1]

ALAGUILLAUME CB, 1963, J PHYS CHEM SOLIDS, V24, P383

[2]

BEER AC, 1963, SOLID STATE PHYSI S4

[3] RECOMBINATION IN SEMICONDUCTORS [J].

BEMSKI, G .

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF RADIO ENGINEERS, 1958, 46 (06) :990-1004

BODE, DE ;

GRAHAM, HA .

INFRARED PHYSICS, 1963, 3 (03) :129-137

[5]

BORELLO SR, 1962, J APPL PHYS, V33, P2947

[6]

Brice J.C., 1965, GROWTH CRYSTALS MELT

[7]

BRIDGERS HE, 1958, TRANSISTOR TECHNOLOG, V2

[8]

BRIDGERS HE, 1958, TRANSISTOR TECHNO ED, pCH6

[9]

BRIDGERS HE, 1958, TRANSISTOR TECHNOLOG, V1

[10]

BRIDGERS HE, 1958, TRANSISTOR TECHNO ED, pCH5