IMPROVEMENT IN AIGAAS/GAAS HBT POWER GAINS WITH BURIED PROTON-IMPLANTED LAYER

被引：16

作者：

NAKAJIMA, O

NAGATA, K

YAMAUCHI, Y

ITO, H

ISHIBASHI, T

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1986年 / 22卷 / 25期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19860903

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：1317 / 1318

页数：2

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共 5 条

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