DEEP-LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY (DLTS) ANALYSIS OF DEFECT LEVELS IN SEMICONDUCTOR ALLOYS

被引：31

作者：

DAS, A

SINGH, VA

LANG, DV

机构：

来源：

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY | 1988年 / 3卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1088/0268-1242/3/12/005

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1177 / 1183

页数：7

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