ENHANCED SPIN SUSCEPTIBILITY IN PHOSPHORUS-DOPED SILICON

被引:16
作者
CHAO, KA [1 ]
BERGGREN, KF [1 ]
机构
[1] UNIV LINKOPING,DEPT PHYS & MEASUREMENT TECHNOL,S-58183 LINKOPING,SWEDEN
关键词
D O I
10.1103/PhysRevLett.34.880
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
摘要
引用
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页码:880 / 882
页数:3
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